دانلود مقاله تاثیر توزیع دانه بندی گرانول بر روی خواص الکتریکی وریستور اکسید روی

تاثیر توزیع دانه بندی گرانول بر روی خواص الکتریکی وریستور اکسید روی

وریستورهای اکسید روی سرامیکهای نیمه رسانا بوده که خصوصیات الکتریکی غیر خطی عالی داشته که ناشی از مرز دانه ها و ریز ساختار آن می باشد

دانلود تاثیر توزیع دانه بندی گرانول بر روی خواص الکتریکی وریستور اکسید روی

تاثیر توزیع دانه بندی گرانول بر روی خواص الکتریکی وریستور اکسید روی
جزوه
مقاله
تحقیق
پژوهش
پروژه
دانلود جزوه
دانلود مقاله
دانلود تحقیق
دانلود پژوهش
دانلود پروژه
دسته بندی برق
فرمت فایل ppt
حجم فایل 648 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل 5

 تاثیر توزیع دانه بندی گرانول بر روی خواص الکتریکی وریستور اکسید روی

چکیده مقاله:

 

وریستورهای اکسید روی سرامیکهای نیمه رسانا بوده که خصوصیات الکتریکی غیر خطی عالی داشته که ناشی از مرز دانه ها و ریز ساختار آن می باشد. از نظر تئوریکی، گرانول های ریزتر با توزیع اندازه محدودتر، خواص الکتریکی بهتری ارائه می دهند. خصوصیات الکتریکی به اندازه و مورفولوژی گرانول ها بستگی دارد. در این تحقیق، توزیع دانه بندی متفاوتی از گرانول ها، زینتر شده و تأثیر توزیع دانه بندی گرانول بر روی خواص الکتریکی وریستورهای ZnO مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که استفاده از توزیع دانه بندی مناسب برای تولید وریستورها موجب بهبود پرس پذیری، افزایش دانسیته وریستور و در نتیجه خواص الکتریکی بهتر مانند کاهش جریان نشتی به میزان 75 درصد در وریستور می شود.

دانلود تاثیر توزیع دانه بندی گرانول بر روی خواص الکتریکی وریستور اکسید روی

دانلود مقاله بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ

بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ

وریستورهای اکسید روی سرامیک‌های نیمه رسانا می­باشند که دارای خصوصیات الکتریکی غیرخطی هستند که ناشی از مرز دانه­ها و ریز ساختار وریستوری می‌باشد

دانلود بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ

بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ
پروژه
پژوهش
مقاله
جزوه
تحقیق
دانلود پروژه
دانلود پژوهش
دانلود مقاله
دانلود جزوه
دانلود تحقیق
دسته بندی برق
فرمت فایل ppt
حجم فایل 395 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل 5

بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ

 

چکیده

وریستورهای اکسید روی سرامیک‌های نیمه رسانا می­باشند که دارای خصوصیات الکتریکی غیرخطی هستند که ناشی از مرز دانه­ها  و ریز ساختار وریستوری می‌باشد. در این مقاله به مطالعه تاثیر دمای زینترینگ بر روی خواص الکتریکی وریستورهای اکسید روی می­پردازیم.  تغییر دمای زینترینگ منجر به تغییر دانسیته وریستور، حفره­های داخلی و غلظت دهنده­ها در مرز دانه ­می­گردد که موجب تاثیر بر روی خواص الکتریکی و مکانیکی وریستور اکسید روی می­شود.  اکسید بیسموت در دماهای پایین­تر از دمای زینترینگ ذوب شده و فاز مایع تشکیل میدهد. این فاز در مرز دانه­های اکسید روی کاملا کشیده می­شود؛ در واقع این فاز خاصیت عایق الکتریکی وریستور را افزایش می­دهد. سپس اکسیدهای فلزی افزوده شده به وریستور شامل اکسید منگنز، اکسید کروم، اکسید نیکل، اکسید بور و اکسید کبالت در مرز دانه­های اکسید روی و در دانه­های اکسید آنتیموان حل شده و فاز اسپینل تشکیل می­دهند. فاز اسپینل موجب پایداری در وریستور می­گردد. تصاویر میکروسکوپی از سطح وریستور اکسید روی برای دماهای زینترینگ مختلف نشان می­دهد که در دمای زینترینگ ۱۱۰۰ درجه سیلسیوس فازها به خوبی توزیع می­گردند؛ از طرفی تخلخل­ها­ در وریستور در این دما کاهش می­یابد. مشخصات دی­الکتریک، آنالیز دانسیته جریانی برحسب میدان الکتریکی و ضریب غیرخطی وریستورها به صورت تابعی از دمای زینترینگ بیان می­گردد.  پس از اندازه­گیری مشخصات الکتریکی مشاهده می­گردد بهترین مشخصات الکتریکی وریستور، مربوط به وریستور با دمای زینترینگ ۱۱۰۰ درجه می­باشد.

دانلود بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ